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势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布 被引量:2

Electronic Band Structures and Electronic Concentration Distributions of Quantum Wells Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)With δ-Doping in Barriers
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摘要 在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响. Abstract The potential and electronic concentration distributions of quantum wells Si/Ge0.3Si0.7 with δ-doping in barriers grown on Ge0.3Si0.7 (001 ) substrates are obtained by solving the Schrodingerl-Poisson equations self-consistently using the finite-difference method with a nonuniform mesh size in the frame of effective mass theory. The dependences of the geometric structure parameters-well widths, δ-doping positions and δ-doping impurity concentrations on the electronic concentration distributions in the well are discussed.
作者 徐至中
机构地区 复旦大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期321-327,共7页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Wang P J,Appl Phys Lett,1989年,55卷,2333页
  • 2Kuo T Y,J Appl Phys,1988年,64卷,3324页

同被引文献30

引证文献2

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