摘要
为迎接45nm制程时代,英特尔(Intel)计划于2007年投产,劲敌超微(AMD)也规划与IBM最快在2008年中投严45nm制程芯片,加上台积电、联电、新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor)皆将于2007年下半年启动量产,使得45nm制程设备近期市场热度升温,知名设备商应用材料(Applied Materials)、荷商ASML趁热打铁推出45nm制程所需浸润式显影、化学气相沉积、干式微显影机等新设备产品。
出处
《微纳电子技术》
CAS
2007年第3期124-124,共1页
Micronanoelectronic Technology