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Ce:Cu:LiNbO_3晶体抗光致散射性能研究

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摘要 用提拉法从熔体生长出来了Ce(0.09%),Cu(0.01%)LiNbO3(Ce:Cu:LiNbO3)晶体,切割后分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用。
作者 杨飞 黄金哲
出处 《科技信息》 2007年第7期94-94,18,共2页 Science & Technology Information
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