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嵌入式串行EEPROM研究 被引量:4

The Research of Embeded Serial EEPROM
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摘要 首先对一种嵌入式串行EEPROM进行了研究,存储容量为4K×8,考虑到可移植性,兼容性,以及体积,成本等因素,采用了串行数据I/O。并给出了该电路的结构框图,对电路原理进行了简单的叙述,并探讨了EEPROM存储单元结构及原理。 This article researches a kind of embeded serial EEPROM. Memory capacitance is 4K multiplied by 8. In view of transplant compatibility as well as volume and cost etc factors, we chooses serialdata I/O. This article presents the diagram of the circuit, simply recounts the principle of the circuit. In addition it discusses the structure and principle of memory cell.
出处 《微处理机》 2007年第1期29-31,共3页 Microprocessors
关键词 电可擦可编程只读存储器 存储单元 串行 EEPROM Memory cell Serial
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Litters J S,Groesenken G,Degradation of tunnel-oxide floating gate EEPROM devices and the correlation with high field-current-induced degradation of thin gate oxides[J].IEEE Trans Electron Device,2003.
  • 2Ku P S,Schroder D K.Charges trapped throughout the oxide and their impact on the Fowler-Nordheim current in MOS devices[J].IEEE Trans Electron Device,2004.
  • 3P E艾伦.CMOS模拟电路设计[M],北京:科学出版社,1995:87-92.

共引文献2

同被引文献14

引证文献4

二级引证文献5

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