能用5V电压驱动并有可靠的MOSFETS场效应管
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1杨洸,刘理天.Fabrication of 0.1 Micron MOSFETs and Their Characteristics[J].Journal of Semiconductors,2000,21(9):833-838.
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2张杰,柯导明,徐太龙,马强,陈军宁.叠栅MOSFETs的结构设计与研究[J].电子技术（上海）,2010(6):81-83.
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3美国模拟器件公司真双极性多通道ADC[J].电子产品世界,2005,12(01B):32-32.
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4Daniel Burton.运算放大器输入过压保护:钳位与集成[J].今日电子,2016,0(7):47-48. 被引量：1
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5张亚苏.IGBT的驱动和保护技术探析[J].中国新技术新产品,2010(7):140-140.
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