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采用InALGaN系列材料开发紫外短波高亮度LED
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职称材料
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摘要
1．前言 波长250～350nm波段的半导体紫外线光源（LD·LED），可望在广泛领域得以应用，有比较高的实现期待值。
作者
李桂林（译）
机构地区
彩虹集团外事办
出处
《显示器件技术》
2007年第1期28-34,共7页
关键词
紫外线光源
高亮度LED
材料开发
短波
半导体
波段
分类号
TN92 [电子电信—通信与信息系统]
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显示器件技术
2007年 第1期
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