摘要
建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响,得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。
MEDICI is a powerful device simulation program that can be used to simulate the behaviors of MOS and semiconductor devices.A simulation grid is created by MEDICI.The substrate voltage,the 1PW impurity concentration,N buried-channel impurity concentration and P impurity concentration of TG（transfer Gate） are analyzed.Finally,An optimum strcture is obtained.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期36-39,共4页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
CCD
光晕
纵向抗晕
器件仿真
CCD
blooming
vertical anti-blooming
device simulation
