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半导体硅材料的新领域——评《硅纳米线分析》 被引量:3

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摘要 20世纪90年代,纳米产品闯入世人生活,不断有信息向人们展示纳米技术给人们的生活带来的奇妙变化.例如,当咖啡不慎洒在裤子上时,完全不用担心它会弄脏你的裤子,因为这裤子是纳米纤维的料子做的;当你不幸遭遇粉碎性骨折时,用上纳米技术生产的骨头就不用担心走不了路或写不成字,你可以重新拥有自己的腿或胳膊.这就是神奇的纳米技术.从广义上说,纳米技术就是在纳米尺度上研究物质的特性与相互作用,并利用这些特性的多学科交叉的技术.纳米技术具有非常重要的意义,它导致了认知的革命:新物质世界及其特性,相应的新发现与新理论.
作者 易健宏
出处 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期F0003-F0003,共1页 Journal of Hunan University:Natural Sciences
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  • 1裴立宅.硅纳米线的制备技术[J].稀有金属快报,2007,26(6):11-17. 被引量:5
  • 2翟华嶂,李建保,黄勇.纳米材料的进展、应用及产业化现状[EB/OL].(2007-03-13)[2008-04-15].http://tech.icxo.com/htmlnews/2007/03/13/1017622-3.htm.
  • 3MORALES A M, LIEBER C M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires[J]. Science, 1998, 279: 208-211.
  • 4ZHANG Y F, TANG Y H, WANG N, et al. Silicon nanowires prepared by laser ablation at high temperature[J]. Appl Phys Lett, 1998, 72(15):1835-1837.
  • 5TANG Y H, ZHANG Y F, LEE C S, et al. Large scale synthesis of silicon nanowires by laser abiation[J]. Mater Res Soc Syrup Proc, 1998, 526: 73-77. Mater. Res.
  • 6MADD D, LEE C S, LEE S T. Scanning tunneling microscopic study of boron-doped silicon nanowires[J]. Appl Phys Lett, 2001, 79(15): 2468-2470
  • 7TANG Y H, SHAM T K, JURGENSEN A, et al. Phosphorus-doped silicon nanowires studied by near edge X-ray absorption fine structure spectroscopy[J]. Appl Phys Lett, 2002, 80(20): 3709-3711.
  • 8LEE S T, WANG N, LEE C S. Semiconductor nanowires: Synthesis, structure and properties [J]. Mater Sci Eng A, 2000, 286: 16-23.
  • 9Canham L T.Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers[J].Appl.Phys.Lett.,1990,57:1046-1048.
  • 10Liu H I,Maluf N I,Pease R F W.Oxidation of sub-50 nm Sicolumns for light emission study[J].JVac Sci Technol B,1992,10(6):2846-2850.

引证文献3

二级引证文献9

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