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化学气相淀积硅化钨体系热力学研究 被引量:1

Thermodynamic Study on CVD Tungsten Silicide System
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摘要 本文给出了以WF_6或WCl_6为钨源,以硅烷或氯硅烷为硅源的硅化钨气相淀积体系的热力学研究结果。结合实验,讨论了热力学结果对实验的指导和局限。 This paper presents the result of thermodynamic study on Chemical Vapor Deposition (CVD) tungsten silicide system using WF6 or WCl6 as tungsten source and silane or chloride as silicon source. The direction for experimental research and the limitation of the thermodynamic result are discussed by combining with experimental results.
机构地区 复旦大学材料系
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期14-18,共5页 Acta Electronica Sinica
基金 上海市青年科学基金
  • 相关文献

参考文献2

  • 1王季陶,微电与计算,1987年,4卷,2期,22页
  • 2王季陶,第四届全国集成电路磁材料会议论文摘要集,1985年

同被引文献3

  • 1B.L.Crowder and S.Zirinsky.IEEE Trans.ElectronDevices[J].1979,ED-26,369.
  • 2Michael Quirk著,韩郑生,等译.半导体制造技术[M].北京:电子工业出版社,2004.
  • 3王阳元.多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用[M].北京:科学出版社,2000.

引证文献1

二级引证文献2

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