反复短路运作下IGBT器件失效的研究

Investigations on the Behavior of IGBT Devices under Repetitive Shortcircuits Operations

本文描述600V穿通型、600V非穿通型和1200V非穿通型的IGBT,在其器件寿命期限内,对它施加不同能量来进行反复短路试验的结果。文中指出,一种和试验条件有关的临界能量,可以区分两种失效模式:具有累积退化效应的第一种失效模式,需要进行大约104次短路才损坏,而具有热击穿效应的第二种失效模式,在第一次短路时就损坏。基于试验和仿真的结果,详细描述了短路时的"极限能量"和"延缓"模式。事实上,临界能量对应阻挡结附近区域约650℃的临界温度,这点似乎和测试条件无关。尤其是,分析了短路后的漏泄电流,说明存在将两种失效模式明显区分开来的临界温度。