期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
FDB2614/2710:MOSFET
下载PDF
职称材料
导出
摘要
飞兆半导体推出全新的FDB2614(200V)和FDB2710(250V)N沟道MOSFET。两款产品经专门设计,可为等离子体显示板(PDP)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。
出处
《世界电子元器件》
2007年第4期79-79,共1页
Global Electronics China
关键词
N沟道MOSFET
等离子体显示板
飞兆半导体
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
200V/250V PowerTrench^TM MOSFET[J]
.国外电子元器件,2007(4):79-79.
2
Intersil新款高集成度10A电源模块,极大简化电源设计并节省占位空间[J]
.电子与电脑,2009(6):93-93.
3
IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95%并可大幅节省占位空间[J]
.电子元器件应用,2006,8(12).
4
汽车与工业的应用——高输入电压单片开关电源采用一个电感器从4V至60V输入提供5V连续输出[J]
.电子产品世界,2004,11(09B):52-53.
5
汽车与工业的应用——高输入电压单片开关电源采用一个电感器从4V至60V输入提供5V连续输出[J]
.电子设计技术 EDN CHINA,2004,11(7):89-90.
6
IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80%的占位空间[J]
.集成电路应用,2006,23(1):14-14.
7
IR最新200V DirectFET MOSFET效率高达95%并大幅节省占位空间[J]
.电源技术应用,2006,9(12):83-83.
8
FX122系列:石英振荡器[J]
.世界电子元器件,2011(9):31-31.
9
IR推出100V集成MOSFET解决方案为PoE应用节省80%的占位空间[J]
.电子与封装,2006,6(2):47-48.
10
针对802.11n标准的RF前端面世[J]
.电力电子,2006,4(2):61-61.
世界电子元器件
2007年 第4期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部