MOMBE生长InAsP激光材料
1 阎春辉,孙殿照,国红熙,朱世荣,黄运衡,李晓兵,曾一平,孔梅影.金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs[J] .高技术通讯,1992,2(6):12-16.
2 师云怀.用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAs PN结二极管[J] .液晶与显示,1991,11(4):33-36.
3 齐鸣,罗晋生,白■淳一,山田巧,野崎真次,高桥清,德光永辅,小长井诚.碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性[J] .Journal of Semiconductors,1993,14(7):402-409.
4 屠青,李恩平.适应高温工作的大功率高效率1.3μmInAsP压应变MQW激光器[J] .光纤通信技术,1995(5):35-37.
5 Hasegawa F, Souda R (University of Tsukuba, Institute of Applied Physics, Tsukuba 305-8573, Japan) (National Institute for Research in Inorganic Materials, Tsukuba 305-0044, Japan).GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系 (英文)[J] .发光学报,2001,22(4):315-318.
6 彭宇恒,陈维友,赵铁民,刘式墉.应变量子阱激光器阱宽与组分的确定和增益特性的理论研究[J] .光子学报,1995,24(6):568-574. 被引量：4
7 黄占超,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌.InAsP/InGaAsP/InP应变材料的二维倒空间衍射研究[J] .Journal of Semiconductors,2006,27(z1):58-63.
8 Shimi.,H,刘大洲.1.3μmInAsP调制掺杂的MQW激光器[J] .光学精密机械,2001(2):14-22.
9 曹萌,吴惠桢,刘成,劳燕锋,黄占超,谢正生,张军,江山.干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究[J] .物理学报,2007,56(2):1027-1031. 被引量：1
10 任在元,郝智彪,何为,罗毅.采用As_2和As_4模式的新型全固源InAsP分子束外延生长[J] .Journal of Semiconductors,2002,23(1):57-60. 被引量：1
