硅的液相外延生长
-
1未休.SiC的液相外延生长[J].电子材料快报,1999(10):15-16.
-
2未休.GaAs的高纯液相外延生长[J].电子材料快报,1996(7):6-7.
-
3田敬民.多孔硅的形成及可见光发射[J].西安理工大学学报,1994,10(2):105-110.
-
4张冰阳,何益民,朱李安,侯洵.富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长[J].光子学报,1993,22(2):132-135.
-
5刘学锋,龚秀英,王占国.液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):746-750. 被引量：1
-
6罗恩银,赵新民,蔡开清.InGaAsP/InP激光器非平面液相外延生长的研究[J].半导体光电,1990,11(4):329-332. 被引量：1
-
7在硅薄膜上形成纳米孔[J].光机电信息,2003(9):41-41.
-
8王志忠,邬祥生,周贵德.液相外延生长InGaAsP超薄层[J].半导体光电,1993,14(3):296-300.
-
9周华.450℃下制备的多晶硅薄膜晶体管寻址全色液晶显示器[J].液晶与显示,1989,9(6):47-47.
-
10李琼,袁美英,汤世豪,徐静芳,付勇,张锻,吴俊雷.硅薄膜场发射阴极的制造和性能[J].微细加工技术,1993(3):58-65. 被引量：1
;
