分子束外延的二十年
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1彭瑞伍.十年来上海Ⅲ—Ⅴ族化合物的进展[J].上海金属（有色分册）,1989,10(6):31-34.
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2司伟民,李德杰,王健华,彭吉虎,张克潜.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体量子阱光调制器[J].通信学报,1992,13(4):55-64. 被引量：1
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3李光平,何秀坤.Ⅲ—V族化合物半导体材料禁带宽度的温度特性[J].电子与自动化仪表信息,1989(5):15-18.
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4毕叔和.几种Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体材料的研究热点[J].热固性树脂,1999,14(4):114-117. 被引量：3
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5李玉国,薛成山,刘秀喜.离子注入在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的应用[J].半导体杂志,1999,24(3):51-55. 被引量：2
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