Ⅲ—N—Ⅴ族混晶半导体特性及其光电器件应用前景
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1康俊勇,林虹,黄启圣.AlGaAs混晶中的Sn施主深能级[J].厦门大学学报（自然科学版）,1991,30(1):29-32.
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2张忱.Ⅲ—（N,Ⅴ）混晶半导体[J].电子材料快报,1998(4):3-4.
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3半导体物理[J].电子科技文摘,2002,0(6):32-32.
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4在172K下显示强磁性的半导体结构[J].现代化工,2004,24(4):70-70.
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5黄启圣.GaAsP混晶中Fe杂质能级的无序分裂[J].Journal of Semiconductors,1989,10(7):553-555.
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6陈世帛,周必忠.GaAs_（1－x）P_x：TeLED中深能级及其对发光效率的影响[J].厦门大学学报（自然科学版）,1995,34(5):715-718.
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7高凤升,龚秀英.Ⅱ-Ⅵ族三元和四元混晶半导体晶格常数的计算[J].稀有金属,1993,17(3):236-240. 被引量：1
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8周必忠,林东海,黄景昭,陈世帛.混晶GaAs_(1-x)P_x(Te)深中心的电声耦合和光电特性[J].科学通报,1991,36(17):1294-1297.
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9俞容文,黄旭光,郑健生,颜炳章.混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究[J].厦门大学学报（自然科学版）,1997,36(2):216-220.
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10连世阳,陈张海,颜永美,王余姜,陈议明.N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性[J].厦门大学学报（自然科学版）,1995,34(5):711-714.
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