GaAs的高纯液相外延生长
-
1未休.SiC的液相外延生长[J].电子材料快报,1999(10):15-16.
-
2黄义贞.硅的液相外延生长[J].电子材料快报,1996(3):6-6.
-
3张冰阳,何益民,朱李安,侯洵.富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长[J].光子学报,1993,22(2):132-135.
-
4刘学锋,龚秀英,王占国.液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):746-750. 被引量：1
-
5罗恩银,赵新民,蔡开清.InGaAsP/InP激光器非平面液相外延生长的研究[J].半导体光电,1990,11(4):329-332. 被引量：1
-
6王志忠,邬祥生,周贵德.液相外延生长InGaAsP超薄层[J].半导体光电,1993,14(3):296-300.
-
7贾望屹,孔波,王敬东.低相噪高纯谱数字捷变频合器的实现[J].电子产品世界,2004,11(08A):90-90. 被引量：2
-
8韩汉民.高纯砷的制备[J].现代化工,1994,14(11):49-50. 被引量：3
-
9李新立.半导体器件键合用高纯铜丝[J].有色金属与稀土应用,1996(1):28-31.
-
10杨德仁.半导体诊断技术和高纯硅材料研究动向[J].国际学术动态,1995(4):76-77.
;
