采用CVD技术制备晶体C—N膜
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1李建保,孔向阳,范守善.C_3N_4──替代金刚石的新材料[J].高技术通讯,1994,4(6):44-45.
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2马丁.用RF PECVD方法形成氮化碳薄膜[J].等离子体应用技术快报,1998(10):6-7.
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3于威,阎正卯,陈艳梅,丁振瑞,韩理,李晓伟,傅广生.XeCl准分子溅射碳靶合成CN薄膜[J].量子电子学报,1998,15(1):111-111.
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4刘秋香,王金斌,杨国伟.液体中激光熔蚀固体靶制备氮化碳纳米晶[J].微细加工技术,1998(2):24-30. 被引量：6
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5李超,曹传宝,朱鹤孙.电化学沉积法制备类石墨相氮化碳[J].科学通报,2003,48(9):905-908. 被引量：11
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6Qing Han Fei Zhao Chuangang Hu Lingxiao Lv Zhipan Zhang Nan Chen Liangti Qu.Facile production of ultrathin graphitic carbon nitride nanoplatelets for efficient visible-light water splitting[J].Nano Research,2015,8(5):1718-1728. 被引量：12
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7周之斌,崔容强.氮化碳薄膜的制备及C-N/CuInSe_2/Si异质结光伏特性[J].科学通报,1995,40(21):1969-1972. 被引量：4
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8刘翀,张增凤,董永利,魏立国,罗海斌.两种合成方法制得g-C_3N_4的光催化性能[J].黑龙江科技大学学报,2015,25(5):521-525. 被引量：2
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9傅广生,于威,王淑芳,李晓苇,张连水,韩理.辉光放电等离子体辅助XeCl准分子激光溅射沉积碳氮薄膜[J].物理学报,2001,50(11):2263-2268. 被引量：3
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