原子层外延生长GaAs和GaAsP
-
1杨国桢,李林.单原子层外延生长多层膜和超晶格的激光分子束外延新技术[J].薄膜科学与技术,1994,7(3):257-260. 被引量：1
-
2原子层外延生长ZnS：MnACTFEL器件的电学特性[J].发光快报,1994,15(2):29-31.
-
3N.H.Karam,张秀霞.550℃下器件质量级GaN的原子层外延生长[J].半导体情报,1996,33(5):37-39. 被引量：1
-
4高凯平.原子层外延生长的发绿光TFEL器件[J].液晶与显示,1990,10(5):31-33.
-
5罗风光,曹明翠,李洪谱,万安君,徐军,李再光.MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究[J].光子学报,1996,25(4):318-321. 被引量：1
;
