Ⅲ—Ⅴ半导体的直接键合
-
1新保優,詹娟.硅片的直接键合[J].电子器件,1991,14(1):57-59.
-
2陈裕权.IBM进一步缩短Ⅲ-Ⅴ MOSFET的栅长[J].半导体信息,2009(4).
-
3郑海东,陈晓明.Si面键合技术及其应用[J].压电与声光,1995,17(3):40-44.
-
4义仡.铁电——半导体的直接键合[J].电子材料快报,1998(9):5-6.
-
5朱洪亮.干法刻蚀Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展[J].科学通报,1989,34(22):1681-1684. 被引量：1
-
6詹娟,刘光廷,孔德平.硅/硅直接键合(SDB)平面型高反压大功率晶体管研究[J].半导体技术,1990,6(5):48-50. 被引量：4
-
7一般性问题[J].中国无线电电子学文摘,2005,0(6):1-1.
;
