GaSb,AlGaSb结构和电学特性及其在GaAs上的异质结生长
-
1茅惠兵,王海龙.AlGaSb三元化合物的液相外延生长及其参数测量[J].半导体光电,1993,14(2):189-191.
-
2陈熙仁,宋禹忻,朱亮清,祁镇,朱亮,查访星,郭少令,王庶民,邵军.Bismuth Effects on Electronic Levels in GaSb(Bi)/AlGaSb Quantum Wells Probed by Infrared Photoreflectance[J].Chinese Physics Letters,2015,32(6):127-130.
-
3丁瑞钦,陈毅湛,朱慧群,黎扬钢,丁晓贵,杨柳,黄鑫钿,齐德备,谭军.制备工艺对p型ZnO薄膜微观结构和电学特性的影响[J].人工晶体学报,2008,37(5):1237-1241. 被引量：1
-
4刘士文,徐现刚,黄柏标,刘立强,任红文,蒋民华.MOCVD法制备GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料[J].稀有金属,1994,18(1):45-50. 被引量：3
-
5余俊,陈军,朱联峰,佘峻聪,邓少芝,许宁生.可印制碳纳米管冷阴极中碳纳米管含量的优化[J].电子器件,2008,31(1):166-169.
-
6陈进军,曹铃,宋学萍,孙兆奇.钽掺杂对氧化锌透明导电薄膜结构和电学特性的影响[J].安徽大学学报（自然科学版）,2010,34(4):59-63. 被引量：3
-
7陈新亮,薛俊明,孙建,任慧志,张德坤,赵颖,耿新华.薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响[J].人工晶体学报,2006,35(6):1313-1317. 被引量：3
-
8王烨,李伟,赵文刚,杨文继,王德明,马忠权.Na-Mg弱掺杂ZnO薄膜的结构和电学特性[J].上海大学学报（自然科学版）,2006,12(6):604-609. 被引量：5
-
9汤亮,李俊红,郝震宏,乔东海,汪承灏.应用于体声波谐振器的ZnO薄膜结构和电学特性[J].功能材料与器件学报,2008,14(4):821-826. 被引量：2
-
10赵永红,孔春阳,秦国平,李万俊,阮海波,孟祥丹,卞萍,徐庆,张萍.N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究[J].重庆师范大学学报（自然科学版）,2013,30(3):115-120. 被引量：5
