GaAs(100)表面上含Cl物种的形成和激光诱导的脱附

用XPS分析了盐酸处理前后的GaAs(100)表面。未处理GaAs(100)表面上有约1.7nm厚的氧化层;盐酸处理可除去氧化层并在表面上形成一层氯化镓物种。本实验还用355和193nm激光研究了此含氯物种的激光诱导脱附过程。结果表明,355nm激光导致氯化镓热脱附,从激光的热效应可推测出表面氯化镓物种可能是GaCl;193nm激光可将GaCl解离,从而导致光解Cl脱附。