光刻专家探讨32nm节点的选择方案

在最近这段时间．继续推动光刻技术发展的保障似乎来自于几个不同的方向。在Semiconductor International最新的技术webcast“32nm光刻：寻找合适的解决方案”中．四位业界专家聚在一起来讨论高折射率浸没式、双重图形．EUV、纳米压印、电子束和光学无掩膜等光刻技术的优缺点。这四位专家分别是IMEC先进光刻技术主管KurtRonse、Sematech浸没式光刻项目经理BryanRice、德州大学奥斯汀分校Rashid Engineering董事会主席Grant Willson和麻省理工学院电气工程的教授Hank Smith分别介绍了上述这些技术领域的最新进展。虽然在某种程度上．所有这些技术都表现出相当大的潜力．但是为了满足32nm节点关键层的大规模生产要求．它们都面临着巨大的挑战。