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45到32纳米:又一次渐进式的转变
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4
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摘要
闪存的等比例缩小很快就将遇到物理壁垒。目前正在研究的替代方案包括基于氮化物的结构、相变存储器、铁电RAM、磁性RAM和新的电阻翻转存储结构。
作者
Laura Peters
机构地区
Semiconductor International
出处
《集成电路应用》
2007年第3期44-46,48,50,共5页
Application of IC
关键词
32纳米
渐进式
存储结构
相变存储器
RAM
氮化物
铁电
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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集成电路应用
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