二级引证文献7
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2李国明,孙世尧,陈学群.工艺参数对离子束辅助沉积TiN薄膜性能的影响[J].表面技术,2008,37(6):66-68. 被引量：1
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3李国明,孙世尧,陈学群.离子束辅助沉积TiN薄膜在模拟口腔溶液中的耐蚀性[J].腐蚀与防护,2009,30(8):558-560.
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4张恒,马蒋,张莹,刘应开.双离子束溅射沉积Cu纳米薄膜表面的研究[J].材料导报（纳米与新材料专辑）,2013,27(2):13-15.
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5孙世尧,赵铱民,马明,宋忠孝.TiN纳米薄膜提高磁性附着体Fe-Cr-Mo合金显微硬度的研究[J].口腔医学研究,2003,19(1):16-18. 被引量：4
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6孙世尧,赵铱民,高勃,张玉梅,马明,宋忠孝.氮化钛纳米膜对磁性附着体铁铬钼合金磁力影响的研究[J].口腔医学研究,2003,19(6):461-462. 被引量：5
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7孙世尧,赵铱民,张玉梅,高勃,李国明.氮化钛纳米膜提高磁性附着体铁铬钼合金防腐蚀性的研究[J].中华口腔医学杂志,2003,38(5):387-389. 被引量：6
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7何向军,陶琨,范玉殿.Al_2O_3陶瓷基片沉积钼膜的织构研究[J].真空科学与技术,1994,14(6):401-404. 被引量：1
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82016年度上海集成电路销售规模和最佳经济效益企业排名[J].集成电路应用,2017,34(5):91-91.
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9章从福.超晶格沟道能够降低栅极泄漏[J].半导体信息,2007,0(4):12-12.
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10Altera发布第一款AQEC兼容FPGA[J].电子产品世界,2006,13(08X):21-21.
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