摘要
利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士 0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土 0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1996年第5期473-480,共8页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金资助项目
