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升温工艺对PTCBaTiO3陶瓷显微结构和电性能的影响被引量：1

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摘要低于液相呈现温度，用变化升温速率（１６０－１８００℃／小时）的烧结工艺来制备ＰＴＣＢａＴＯ３陶瓷。测量了ＰＴＣＢａＴｉＯ３试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线Ｉ－Ｖ曲线及拍摄了试样自然烧结面ＳＥＭ照片。

作者姚尧王依琳

出处《上海微电子技术和应用》 1996年第1期17-22,共6页

关键词低共熔点升温速率异常晶粒生长半导休陶瓷

分类号 TN304.82 [电子电信—物理电子学]

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上海微电子技术和应用

1996年第1期

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