飞兆半导体推出200V、250V PowerTrench MOSFET

日前，飞兆半导体公司推出全新的FDB2614（200V）和FDB2710（250V）N沟道MOSFET。这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板（PDP）应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。