期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破(续) 被引量：3

下载PDF
导出
摘要 前面已提到,与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光,都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及AM0/AM1.5G阳光下光生电流密度按单位光子能量绘制的光谱分布曲线[32]。由于在Ga(In)As的吸收限(约880nm)以外,太阳光谱中仍有相当丰富的红外光可以被Ge底电池所利用,使其短路电流密度远远高于电流匹配的GaInP2/GaInAs两级顶电池。为了更有效地把太阳光能转变为电能,可以通过改变In/Ga组分比,调低GaInP2/GaInAs两级顶电池的带隙宽度。
作者 陈文浚
机构地区 中国电子科技集团第十八研究所
出处 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期259-262,共4页 Chinese Journal of Power Sources
关键词 太阳电池 化合物半导体 光伏技术 短路电流密度 GAINP 晶格匹配 级连 多结
分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
  • 相关文献

参考文献25

  • 1KING R R.Metamorphic GaInP/GaInAs/Ge Ssolar cells[A].28 th IEEE Photovoltaic Specialist Conference[C].Anchorage,Alaska:IEEE Piscataway Press,2000.982-985.
  • 2WANLASS M W.Lattice-mismatched approaches for high-performance,Ⅲ-Ⅴ photovoltaic energy converters[A].31st IEEE Photovoltaic Specialist Conference[C].Lake Buena Vista,FL:IEEE Piscataway Press,2005.530-535.
  • 3WANLASS M W.Monolithic,ultra-thin GaInP/GaAs/GaInAs tandem solar cells[A].4 th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion[C].Hawaii,USA:IEEE Piscataway Press,2006.729-732.
  • 4FREIDMAN D J.0.7-eV GaInAs junction for GaInP/GaAs/GaInAs-(1eV)/GaInAs (0.7eV) four-junction solar cell[A].4 th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion[C].Hawaii,USA:IEEE Piscataway Press,2006.598-602.
  • 5KURTZ S R,MYERS D,OLSON J M.Projected performance of three-and four-Junction devices using GaAs and GaInP[A].26 th IEEE Photovoltaic Specialist Conference[C].Anaheim,CA:IEEE Piscataway Press,1997.875-878.
  • 6FRIEDMAN D J,KURTZ S R,GEISZ J F.Analysis of the GaInP/GaAs/1-eV/Ge cell and related structures for terrestrial concentrator application[A].29 th IEEE Photovoltaic Specialist Conference[C].New Orleans,Louisiana:IEEE Piscataway Press,2002.856-859.
  • 7GEISZ J F.Photocurrent of 1 eV GaInNAs lattice-matched to GaAs[J].Joumal of Crystal Growth,1998,195:409-415.
  • 8HOU H Q.Noval InGaAsN pn junction for high-efficiency multi-junction solar cells[A].2 nd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion[C].Vienna,Austria:1998.3600-3 603.
  • 9HONG Y G,TU C W,AHRENKIEL R K.Improving properties of GaInNAs with a short-period of GaInAs/GaNAs superlattice[J].Journal of Crystal Growth,2001,227:536-540.
  • 10LIN Y.Development of 1.25 eV InGaAsN for triple junction solar cells[A].28 th IEEE Photovoltaic Specialist Conference[C].Anchorage,Alaska:IEEE Piscataway Press,2000.986-989.

同被引文献64

引证文献3

二级引证文献6

电源技术
2007年 第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部