太阳电池及其应用技术讲座(二) 太阳电池的原理和性能

1p-n结 如图1（a）所示，使一块n型半导体和一块P型半导体紧密地接触。交界处n区一侧的电子浓度高，形成一个要向P区扩散的正电荷区域；同样，P区一侧的空穴浓度高，形成一个要向n区扩散的负电荷区域。n区和P区交界面两侧的正、负电荷薄层区域，称之为“空间电荷区”，即p-n结，如图1（b）所示。