摘要
4ITO玻璃
通常在基片玻璃上用电子束蒸发或在氧气气氛中溅射得到ITO膜,膜厚在100~300nm之间,由所需的电阻所确定。在溅射时,采用ITO合金靶,在SnO2-In2O3合金中,SnO2的浓度大约为5%-10%时,有利于得到最佳的ITO膜性能。在沉积过程中,氧气在氩气气氛中的浓度大约为1%,在这种条件下,退火后得到的比电阻率大约为2.0×10^-4Ω.cm^-1,膜厚在100nm时,方框电阻大约为200Ω/□。
出处
《现代显示》
2007年第4期28-32,共5页
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