期刊文献+

开关电源中功率场效应管损坏的原因及解决方法

Protecting Methods of Power Field Effect Transistor
下载PDF
导出
摘要 本文分析了开关电源中功率场效应晶体管损坏的主要原因,提出了相应的解决方法。 The paper analyzes the main damage reasons of power field effect transistors in switch power supplies and presents the solving method in correspondence with those damages.
作者 康伟 邱瑞昌
出处 《电子质量》 2007年第4期37-38,共2页 Electronics Quality
关键词 瞬态共同导通 寄生震荡 动态不平衡 Common ducting Spurious resonance Dynamic imbalance
  • 相关文献

参考文献1

共引文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部