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一种新的栅跟踪电路混合电压CMOS I/O缓冲器

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摘要 基于栅跟踪电路实现了3.3V/5V混合电压工作的CMOS I/O缓冲电路。0.25μm标准CMOS工艺模型仿真结果表明,该缓冲电路中的PMOS管栅极电位和N阱偏置电位可快速跟踪PAD电压变化,有效避免信号变化时可能产生的泄漏电流和栅氧化层可靠性问题。
作者 孙方霞
出处 《济南职业学院学报》 2007年第2期79-82,共4页 Journal of Jinan Vocational College
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Marcel J M Pelgrom,E Carel Dijkmans.A 3/5 V Compatible I/OBuffer[].IEEE Journal of Solid State Circuits.1995
  • 2E Takeda,N Suzuki.An Empirical Model for Device Degradation Dueto Hot-carrier Injection[].IEEE Electron Device Letters.1983
  • 3J Williams.Mixing 3V and 5V ICs[].IEEE Spectrum.1993

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