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可见光量子阱半导体激光器的研制

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摘要 研制出的波长为778nm的可见光量子阱半导体激光器,室温脉冲激射平均线性光功率大于20mW(未镀反射膜),最低阈值电流为30mA。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期29-30,共2页 Semiconductor Technology
基金 山东省科委资助项目
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献3

  • 1李名--,半导体物理学,1991年
  • 2刘恩科,半导体物理学,1989年
  • 3郭长志,异质结构激光器.下,1985年

共引文献2

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