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可见光量子阱半导体激光器的研制
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摘要
研制出的波长为778nm的可见光量子阱半导体激光器,室温脉冲激射平均线性光功率大于20mW(未镀反射膜),最低阈值电流为30mA。
作者
宋珂
张福厚
郝修田
机构地区
山东工业大学电子工程系微电子技术教研室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期29-30,共2页
Semiconductor Technology
基金
山东省科委资助项目
关键词
超晶格
量子阱
半导体激光器
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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半导体技术
1997年 第1期
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