摘要
以丙酮和氢气为反应气体,用大偏流热丝CVD法在硅衬底上沉积50~100μm金刚石薄膜制成新的导热绝缘层(热沉)来替代氧化铍陶瓷,测定了金刚石薄膜的热导率和绝缘电阻率,对绝缘电阻随时间降低的现象进行了理论解释,并采取了对应的表面处理使电阻率满足实用要求。解决了金刚石薄膜的金属化和焊接等技术难点,对封装后的大电流稳压集成电路样品进行了常规测试和168小时满负荷电老化试验。
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期41-44,共4页
Semiconductor Technology