期刊文献+

具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制 被引量:1

Investigation of Quantum Well Lasers which Have Superlattice Buffer Layers
原文传递
导出
摘要 在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷,使阈值电流大幅度降低,光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于20mW(未镀反射膜),波长为778nm,最低阈值电流为30mA,阈值电流密度为400~600A/cm2,谱线宽度为5nm。 To bury the substrate defects effectivel, the superlattice buffer layers are fabricated on the surface of the substrate, and a good interface can be gotten. It decreases the threshold current and increases the output power greatly. The quantum well lasers that we fabricated can be operated at room temperature, the wavelength is 778nm and the lowest threshold current at room temperature (CW) is 30 mA, the threshold current density is about 400~600 A/cm 2, the linear output power with uncoated facets is greater than 20 mW, and the width of the spectral line is 5 nm.
出处 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期97-99,共3页 Chinese Journal of Lasers
基金 山东省科委资助
关键词 超晶格 量子阱 半导体激光器 superlattice, quantum well, semiconductor lasers
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献3

  • 1李名--,半导体物理学,1991年
  • 2刘恩科,半导体物理学,1989年
  • 3郭长志,异质结构激光器.下,1985年

共引文献2

同被引文献2

引证文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部