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用于I_(DDQ)测试的片内电流传感器 被引量:2

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摘要 本文首先讨论了设计用于I_(DDQ)测试的片内电流传感器时应该考虑的一些问题,然后介绍了8种较有代表性的片内电流传感器设计方案,并对它们进行了比较,最后提出与片内电流传感器的设计和应用相关的一些课题。
出处 《微电子测试》 1997年第1期28-38,共11页
基金 国家自然科学基金 批准号:69572017
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Shyang-Tai Su,Rafic Z. Makki,Troy Nagle. Transient power supply current monitoring—A new test method for CMOS VLSI circuits[J] 1995,Journal of Electronic Testing(1):23~43
  • 2Jerry M. Soden,Charles F. Hawkins,Ravi K. Gulati,Weiwei Mao. I DDQ testing: A review[J] 1992,Journal of Electronic Testing(4):291~303

同被引文献3

引证文献2

二级引证文献1

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