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EEPROM与flash Memory 被引量:1

EEPROM and Flash Memory
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摘要 本文主要介绍EEPROM、flashmcmory的技术发展、单元结构.比较了EEPROM与flashmemory的优缺点与应用领域. In this paper, the technology development of EEPROM, flash memory, and their cell structure are outlined. Then, the advantage and disadvantage of EEPROM, flash memory are compared, the applied field are given.
出处 《电子器件》 CAS 1997年第1期46-49,共4页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 EEPROM 单元结构 存储器 EEPROM, flash memory, cell structure
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献2

  • 1Kuo C,IEEE J Solid.State Circuits,1992年,27卷,4期,574页
  • 2Kuo C,IEEE J Solid.State Circuits,1982年,17卷,5期,821页

共引文献10

同被引文献4

  • 1王宜怀 王林.[D].苏州:苏州大学,215006.
  • 2刘鹰.EEPROMIC卡电路的设计和研制[Z].上海贝岭股份有限公司,2002.23.
  • 3K C Huang, Y-K Fang, etc. , Influence of source coupling on the programming and degradation mechanismsof splitgate flash memory devices, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd, 199910.
  • 4李力.闪速存储器技术现状及发展趋势.湖南计算机服份有限公司[EB/OL].www.eebyte.com,2003—2-27.

引证文献1

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