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YSZ/Si上溅射BSCCO高温超导薄膜的工艺参数优化

Optimization of Technic Parameters for Sputtering High Tc Superconducting BSCCO Films on YSZ/Si Substrates
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摘要 本文研究了利用YSZ助作缓冲层Si(100)衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件(主要是生长温度)对BSCCO高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备(2212)相BSCCO膜的工艺参数. In this peper. the grwwing technic for sputtering high Tc superconducting BSCCO films on YSZ/Si substrates is studied,the effects of deposition conditions (especially the growth temperatuns)on the high Tc superconducting phases transition are analyzed,and the technic parameters for fabricating Bi- (2212) on YSZ/Si are presented.
出处 《电子器件》 CAS 1997年第1期715-719,共5页 Chinese Journal of Electron Devices
关键词 溅射 BSCCO 薄膜 高温超导薄膜 YSZ, Si,sputter,BSCCO, thin films,technic parameters
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