ASIC线宽降至0.35μm

下载PDF

导出

摘要美国和亚洲的制造厂商在研制专用集成电路(ASIC)的过程中现已采用亚微米技术。虽然有些厂商已开始采用0.25μm技术,但大多数ASIC产品都是采用0.5μm～0.35μm的CMOS工艺制造的。门数一般为50万门～100万门。日本有一家厂商宣称,它已开发出一个0.35μm系列款式的产品,其速度高达80ps,

作者建宁

出处《世界电子元器件》 1997年第2期17-21,共5页 Global Electronics China

关键词专用集成电路 ASIC 线宽制造工艺

分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1宋家友,Li Zhiqun,Wang Zhigong.UHF power amplifier design in 0.35μm SiGe BiCMOS[J].High Technology Letters,2009,15(2):147-150.
2郝明丽,石寅.A 2.4GHz power amplifier in 0.35μm SiGe BiCMOS[J].Journal of Semiconductors,2010,31(1):65-68.
3马德胜,石寅,代伐.A Wide-Band Low Noise Amplifier for Terrestrial and Cable Receptions[J].Journal of Semiconductors,2006,27(6):970-975.
4郑发伟,万天才,刘永光.900～1200MHz高线性LNA电路设计[J].微电子学,2012,42(5):609-612. 被引量：1
5李亮,臧佳锋,徐振,韩郑生,钟传杰.高速低功耗钟控比较器的设计[J].半导体技术,2008,33(1):11-14. 被引量：8
6裴金亮,王永禄,肖坤光,张红.一种高速BiCMOS采样/保持电路的设计[J].微电子学,2007,37(3):386-389. 被引量：1
7熊秀春,李智群,李亮,李文渊,王志功.370-390MHz SiGe BiCMOS功率放大器设计[J].微电子学,2007,37(6):811-814. 被引量：2
8林长龙,孙欣茁,郭振义,李国峰,梁科,王锦.低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析[J].半导体技术,2015,40(9):653-657.
9郝俊,孟桥,高彬.0.35μm CMOS 4位1 Gsample/s全并行模数转换器设计[J].电子器件,2007,30(2):403-406. 被引量：3
10彭云峰,周锋.A Novel Sampling Switch Suitable for Low-Voltage Analog-to-Digital Converters[J].Journal of Semiconductors,2006,27(8):1367-1372.

世界电子元器件

1997年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

ASIC线宽降至0.35μm

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史