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摘要电工国家标准发布（2007年第1号），飞兆半导体推出30V、40V Power Trench MOSFET,2006年度“上海电气”重大科技创新奖公布，西门子STEP 7-Micro/WIN全新升级，GB 14536.18-2006和GB 14536.19-2006延期实施。

出处《电世界》 2007年第5期50-51,共2页 Electrical World

关键词信息 MOSFET 飞兆半导体 POWER 标准发布科技创新 STEP 西门子

分类号 TM423 [电气工程—电器]

引文网络
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电世界

2007年第5期

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