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KTa_(1-x)Nb_xO_3薄膜的制备研究 被引量:1

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摘要 结合自己的工作,介绍电光、热释电KTa1-xNBxO3薄膜材料的制备研究进展,评述了Sol-Gel、PLD、MOD、LPE和射频平面磁控溅射等技术制备KTN薄膜的工艺特点,根据Sol-Gel技术制备KTN材料的反应机理研究结果。
作者 王世敏
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期168-173,共6页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献9

二级参考文献5

  • 1Chen C,J Am Ceram Soc,1989年,72卷,1495页
  • 2Yi Guanghua,J Appl Phys,1988年,64卷,2717页
  • 3郑立荣,International conference on materials and processing characterization for VLSI,1994年
  • 4郑立荣,Chin Phys Lett,1994年,11卷,518页
  • 5肖定全,Ferroelectrics,1990年,108卷,53页

共引文献31

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献6

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