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射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性 被引量：10

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摘要 用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
作者 朋兴平 王志光 宋银 季涛 臧航 杨映虎 金运范
机构地区 中国科学院近代物理研究所 兰州大学物理科学与技术学院
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 2007年第2期218-222,共5页
基金 国家杰出青年基金(批准号:10125522) 国家自然科学基金(批准号:10475102) 西部之光联合学者项目基金资助项目
关键词 ZNO薄膜 X射线衍射谱 光致发光谱 衬底温度 射频反应溅射
分类号 O484.1 [理学—固体物理] O484.4 [理学—固体物理]
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共引文献101

同被引文献115

引证文献10

二级引证文献15

中国科学（G辑）
2007年 第2期

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