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长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算 被引量:1

Calculation of the Ratio of LWIR HgCdTe Photoconductive Detector Resistance at Room and Liquid nitrogen Temperatures
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摘要 研究了长波HgCdTe光导探测器液氮温度电阻和室温电阻比值计算问题。结果表明:制成器件后,表面电导、材料电导率的变化和背景辐射都将使器件液氮温度的电阻减小,进行这三项修正后。 The ratio of LWIR HgCdTe photoconductive detector resistance at room and liquid-nitrogen temperatures is calculated The result shows that the surface conduction,material conductivity changes,and background radiation have influence on the detector resistance at liquid-nitrogen temperature Calculation dataa grees with experimental results after having taken into account of these factors
机构地区 昆明物理研究所
出处 《红外技术》 CSCD 北大核心 1997年第2期1-2,共2页 Infrared Technology
关键词 光导探测器 器件电阻 碲镉汞 液氮温度电阻 HgCdTe Photoconductive detectors Device resistance
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同被引文献1

  • 1蔡毅 姚英 等.-[J].红外技术,1997,19(2):1-1.

引证文献1

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