紫外光源

紫外光发射元件【专利】／三菱电线／／CN1586015A。直接在晶体基片（B）或在晶体基片（B）上的缓冲层上形成包含GaN系晶体屋的发射区的层压结构（S）。发射区具有多个量子势阱结构。这虚张声势势阱层由可以发射紫外光的InGaN制成。势阱层的层数为2至20，并且阻挡层的厚度为7至30nm。因此，通过由InGaN制成的发射层，实现了高输出能量的紫外光辐射。