由高纯度氧化钼形成的电子器件

本发明涉及在器件的至少一部分中包括高纯度氧化钼的电子器件。根据本发明的器件如双极性晶体管、场效应晶体管和闸流晶体管具有高耐压。本发明还涉及使用高纯度氧化钼形成的对环境惰性的电子器件。根据本发明的器件可以在相对较低的温度如700℃下制造，此温度低于制造GaN或SiC器件的温度，即高于1000℃的温度。