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沉积温度对取向纳米ZnO阵列形貌结构的影响

Effects of Deposition Temperature on the Microstructures of Aligned ZnO Nano-arrays
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摘要 采用化学气相沉积方法,以ZnO及无定形碳粉末为原料,高纯Ar气为载气,在单晶硅和Al2O3基底上,用化学气相沉积技术,在750-1 050℃范围内制备了取向的纳米ZnO晶体阵列.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和荧光光谱(PL)等方法对ZnO薄膜阵列的结构和性能进行了表征,发现沉积温度对取向ZnO纳米阵列的生长结构和光致发光特性有重要影响,并就生长条件对纳米ZnO晶体阵列性能的影响因素进行了讨论分析. Aligned nano-ZnO arrays are prepared on the silicon and A1203 substrates with CVD method in the temperature range of 750 - 1 050 ℃. The morphology and microstructures of aligned nano - ZnO arrays are researched with SEM, TEM, and PL analytic technologys, respectively. It is found that the deposition temperatures are very importante on the morphologies and microstructures of aligned nano - ZnO arrays. Growth prop- erties of the aligned nano -ZnO arrays are discussed and analyzed in different synthetic conditions.
出处 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期173-177,共5页 Journal of Liaoning University:Natural Sciences Edition
关键词 ZnO纳米阵列 化学气相沉积 荧光光谱 ZnO nano - arrays chemical vapor deposition photoluminescence
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参考文献6

二级参考文献42

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