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摘要适合于PDP应用的200V／250V Power Trench MOSFET,面向蜂窝架构市场的具有极高隔离度．极低插损的开关,具有高隔离度和高开关速度的新型FET开关.

出处《今日电子》 2007年第4期119-121,共3页 Electronic Products

关键词元器件 MOSFET 组件开关速度高隔离度 POWER PDP 应用

分类号 TN6 [电子电信—电路与系统]

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今日电子

2007年第4期

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