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应变层Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金研究 被引量:3

The Study on Strained Si 1-x-y Ge xC y Layers
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摘要 本文综述了Si1-x-yGexCy合金的研究进展,包括合金的应变补偿效应、微观结构。 The study on Strained Si 1-x-y Ge xC y Layers is reviewed in the paper. The characteristics of this layers,including the strain compensation effect,the micro-structure,the energy band structure, electrical and optical properties are presented.
出处 《半导体杂志》 1997年第2期25-33,共9页
关键词 合金 应变补偿 能带结构 碳化硅 半导体材料 Si 1-x-y Ge xC y alloys,strain compensation effect,energy band structure
  • 相关文献

同被引文献37

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引证文献3

二级引证文献8

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