国内首次用分子束外延生长出短周期InAa／GaSb超晶格

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摘要中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室采用分子束外延技术，成功地在GaAs村底上生长出高质量Gasb厚膜材料和2～3μm波段InAs／GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs／GaSb超晶格。

出处《现代材料动态》 2007年第5期25-26,共2页 Information of Advanced Materials

关键词分子束外延生长超晶格材料 GASB 短周期 INAA 国内分子束外延技术 GAAS衬底

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现代材料动态

2007年第5期

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