摘要
纳米电子学已显示出它的优势并代表着电子学的未来。量子微结构材料是纳米电子器件的基础。化合物半导体材料是构成量子微结构材料的主力军。在此背景下,化合物半导体材料正沿着增大直径、扩大品种、提高晶体完整性、完善外延过程的原子级精度的控制等方向发展着。其中引人注目的进展有低位错密度大直径GaAs、InP单晶的制备、固溶体单晶的制备、外延过程的实时控制。
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期40-51,共12页
Chinese Journal of Rare Metals